Ovako,ovo je otprilike sta je reka prof. da ce bit,to je copy-paste s onog cd-a sta smo dobili..
Vecina je slika jer (VALJDA?) triba njih znat,i ima nesto teorije,buduci da ja nemam pojma
sta i kako tu triba naucit ako netko sazna (ili dobije pametnu ideju) nek slobodno javi.
Inace,ovo mi je izdiktira Maras pa se njemu zahvalite (ako ovo koristi;) ) sta je ima zivaca
slusat na onim vrlo zabavnim i ne uspavljujucim predavanjima.
Zadatke je isto reka sta ce bit (Tiho iliti Betty,hehe) ali to cu stavit u drugi file.

Over and Out


Slika 2.5.1.1:  Energijski dijagram za n-tip poluvodiča pri temperaturi T = 300K 
kada su svi donori ionizirani.

Slika 2.5.2.1:  Energijski dijagram za p-tip poluvodiča pri temperaturi T = 300K
kad su svi akceptori ionizirani.

Slika 2.5.4.1:  Fermijeva razina u n-tipu poluvodiča.

Slika 2.5.4.2:  Fermijeva razina u p-tipu poluvodiča.

2.7. Driftno gibanje nosilaca (pod tim ima dio koji pocinje ovako:
"Zbog utjecaja priključenoga napona u poluvodiču nastaje električno polje koje 
usmjerava gibanje nosilaca u smjeru svog djelovanja. Pri tome se prosječnoj termičkoj brzini 
pribraja (superponira) brzina zbog djelovanja električnoga polja, tzv. driftna brzina.")
i to nesto naucit...

2.8. Difuzijsko gibanje naboja u poluvodiču (dio pocinje ovako,odma ispod:
Ako u poluvodiču postoji nejednolika gustoća pokretnih nosilaca naboja, 
tada i bez vanjskog utjecaja (npr. električnog polja) nastaje gibanje naboja
 iz područja veće ka područjima manje gustoće naboja i traje do uspostave 
jednake raspodjele naboja u cijelom obujmu poluvodiča..... i to odprilike naucit)

2.14. Vrijeme života i poništavanje (rekombinacija) nosilaca

Slika 3.2.3: Energijski dijagram pn spoja u ravnoteži.

Slika 3.2.1.1: Uz definiciju područja barijere pn spoja.

Slika 3.2.3.1: Polarizacija pn spoja.

Slika 3.2.3.2: Promjena visine barijera (napona UB) u ovisnosti
o polaritetu priključenog napona U.

Slika 3.2.3.3: Gustoća manjinskih nosilaca u uvjetima propusne polarizacije pn spoja.

Slika 3.2.3.4: Gustoća manjinskih nosilaca u uvjetima nepropusne polarizacije pn spoja.

Slika 3.2.7.2: Gustoća šupljina na n strani pn spoja.

Slika 3.2.7.4: Strujno-naponska karakteristika poluvodičke diode.
(što je široka a uska strana?)

Slika 3.2.9.2: Akumulirani naboj na uskoj n strani pn spoja.
(vrijeme proleta bi trebalo znat)

Slika 4.1.1: Ustrojstvo i simbol za bipolarni spojni tranzistor:
a) pnp tip, b) npn tip.

vezano uz to gore:
**** S obzirom na tri priključka (emiter, baza i kolektor) postoji mogućnost i više načina 
polarizacije odnosno rada tranzistora. Ako tranzistor radi kao pojačalo tada je spoj emiter-baza 
propusno polariziran, a spoj kolektor-baza nepropusno. Pri tome se promjenom napona na propusno
polariziranom pn spoju, odnosno promjenom struje kroz taj spoj, mijenja i struja kroz nepropusno
polarizirani pn spoj. Ta pojava nazvana tranzistorski efekt ili bipolarno međudjelovanje dvaju
pn spojeva preko zajedničkog uskog područja baze temelji se na mehanizmu utiskivanja (injekcije)
manjinskih nosilaca iz emitera, prijenosa (tranzita) tih nosilaca kroz bazu i sakupljanja (kolekcije) 
na kolektoru.****

(valjda) Slika 4.1.3: Definicija područja emitera, baze i kolektora
normalno polariziranog npn tranzistora.

****(to je pod: 4.2. Profili manjinskih nosilaca i područje rada tranzistora)
Ovisno o polaritetu napona priključenog između emitera i baze, te kolektora i baze, u načelu se 
razlikuju tri područja rada tranzistora:
1.normalno aktivno područje (spoj emiter-baza je propusno, a spoj kolektor-baza nepropusno polariziran),
2.područje zasićenja (spoj emiter-baza i spoj kolektor-baza su propusno polarizirani),
3.zaporno područje (spoj emiter-baza i spoj kolektor-baza su nepropusno polarizirani).
****

Slika 4.3.1: Struje normalno polariziranog pnp tranzistora.

Slika 4.3.2: Struje normalno polariziranog npn tranzistora.

(otprilike sve) 4.10. Earlyjev efekt

Slika 4.10..1: Prikaz Earlyjevog efekta za npn tranzistor.

****Pri većim iznosima napona nepropusne polarizacije kolektor-baza UCB, efektivna širina 
baze može poprimiti iznos nula pri ćemu nastaje naponski proboj tranzistora (engl. punch-through).****

(vrlo vjerojatno ce bit) Slika 4.11.4: Ebers-Mollov model  npn  tranzistora.

Slika 4.12.1: Područja rada npn tranzistora:
"1" - normalno aktivno, "2" - inverzno aktivno,
"3" - zasićenje, "4" - zapiranje.

(Tiho je to reka da ce bit) Slika 4.13.1.2: Izlazne karakteristike npn tranzistora u spoju zajedničke baze.

(Tiho je to reka da ce bit) Slika 4.13.2.2: Izlazne karakteristike npn tranzistora u spoju zajedničkog emitera.

(otprilike sta je to) 5. UNIPOLARNI TRANZISTOR (TRANZISTOR S DJELOVANJEM ELEKTRIČNOG POLJA) 

Slika 5.2.1.2: Izlazne karakteristike n-kanalnog MOSFETa.
a)obogaćeni tip;  b)osiromašeni tip.